第4回 研究会開催

2017-06-15

第4回 高信頼メモリの配線技術調査研究委員会を開催いたしました。

日 時:2017年6月30日(金)17:00から18:30
場 所:芝浦工業大学 豊洲キャンパス 教室棟 408教室(東京都江東区豊洲3丁目7番5)
HP: http://www.shibaura-it.ac.jp/access/toyosu.html

講演タイトル:NANDフラッシュメモリ技術
~iPhoneからGoogleデータセンターへの応用~

講 師: 作井 康司 氏(クニミネ工業(株)いわき研究所長、IEEE Fellow, 早稲田大学非常勤講師)
<講演概要>
今回の研究会では、フラッシュメモリの草創期より、東芝、ソニー、Intel、Micronで30年近くNAND技術の開発に携わってこられた作井先生をお招きし、NANDフラッシュメモリの基本原理から、最新技術である3D NAND技術についてご講演いただきます。
NANDフラッシュメモリは、USBメモリ、カードメモリの他に、巨大データセンタにおいてハードディスク(HDD)からの置き換えが進んでいるソリッドステートディスク(SSD)に使用されています。高速性のみならず、発熱が少なく、電力コストが安いという特徴が注目されています。

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