調査研究会 開催案内

第5回 高信頼メモリの配線技術調査研究委員会を開催いたしました。

日 時:2017年10月21日(土)14:00から15:30
場 所:芝浦工業大学 豊洲キャンパス 教室棟 504教室(東京都江東区豊洲3丁目7番5)
HP: http://www.shibaura-it.ac.jp/access/toyosu.html

講演タイトル:グラフェンを用いた高性能 グラフェンを用いた高性能 Cu 配線技術
~Incorporating Graphene into Back End Graphene into Back End-of-Line for Better Cu Interconnects ~

講 師: Ling Li 氏(スタンフォード大学)
 <講演概要>
 AIやIoT など今後の情報量増大に対応するため 、LSIでは究極の微細化への努力が続けられています。 
原子層薄膜のグラフェンは、究極のCu 配線バリア膜として配線の抵抗低減、配線間絶縁破壊(TDDB)や
エレクトロマイグーション(EM)などの信頼性向上が期待され、将来のデバイス・シテムの省エネに
つながると期待されます。さらに耐湿バリア性により、100 年を超える超長期保存メモリ用配線の
高信頼化につながります。
 今回の研究会では、究極の超薄膜バリア膜として注目されるグラフェンのCu 配線応用について、
最先端の研究を実際に行っている研究者に最新成果ついて紹介いただき、その技術の可能性や課題について
議論します。

[第16 回グリーンイノベーション研究センター研究会と共催]

 

 

第6回 高信頼メモリの配線技術調査研究委員会を開催いたします。

日 時:2017年10月25日(木)17:00から19:00
場 所:芝浦工業大学 豊洲キャンパス 教室棟3F  304教室(東京都江東区豊洲3丁目7番5)
HP: http://www.shibaura-it.ac.jp/access/toyosu.html

講演タイトル:実装パッケージにおける故障要因について
講 師: 株式会社産業分析センター 高橋邦明様
<講演概要> 
半導体後工程(パッケージ)の概略を説明しながら各工程での故障要因を探る。
更にパッケージ全体での故障状況などを概説する。
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